шум, проявляющийся в хаотических колебаниях тока в цепи выходного электрода транзистора. В шуме транзистора присутствуют те же составляющие, что и в шуме полупроводникового диода. Шум дробовой у транзистора биполярного возникает как в эмиттерном, так и в коллекторном переходах, у транзистора полевого — при наличии р—n-переходов или барьера Шоттки, в том числе вспомогательных, отделяющих активную часть полупроводниковой структуры от пассивных областей пластинки. Шум тепловой в биполярном транзисторе связан в основном с объемным сопротивлением базы, а в полевом — с сопротивлением канала. Флуктуации генерации—рекомбинации возникают во всех областях транзисторов, особенно на поверхности полупроводниковых материалов. Шумы умножения лавинного появляются в переходах, находящихся под значительным обратным напряжением. У биполярного транзистора к перечисленным составляющим добавляются флуктуации токораспределения.