полупроводниковый усилительный прибор с двумя электронно-дырочными переходами, отделёнными тонким слоем полупроводника. Один из p—n-переходов транзистора биполярного со структурой p—n—p, называемый коллекторным, присоединяется к источнику E, создающему на нём обратное напряжение, а через другой переход — эмиттерный — с помощью источника E пропускается ток прямой I, ограниченный резистором R. Крайние области полупроводниковой структуры называют соответственно коллектором и эмиттером, а среднюю — базой.