диод полупроводниковый, предназначенный для измерения механических деформаций. В основе действия тензодиода лежит зависимость ширины запрещенной зоны от механических напряжений в кристалле полупроводника. Это явление в области электронно-дырочного перехода вызывает изменение разности потенциалов контактной области, которое обнаруживается по возникающей на выводах тензодиода электродвижущей силе. Однако более ощутимо измерение тока прямого через тензодиод, поэтому его обычно используют подобно тензорезистору в качестве датчика, изменяющего свое электрическое сопротивление.