параметр биполярного транзистора, определяющий внутреннюю обратную связь в схеме с общей базой, при которой сопротивление базы оказывается введенным одновременно во входную (эмиттерную) и выходную (коллекторную) цепи. Различают низкочастотное сопротивление базы, называемое также диффузионным сопротивлением базы (элемент низкочастотной Т-образной эквивалентной схемы биполярного транзистора), и высокочастотное сопротивление базы, или объемное сопротивление базы, которое является важной физической характеристикой транзистора при работе на высоких частотах. Через объемное сопротивление базы проходят рекомбинационная составляющая переменного тока усиливаемого сигнала и зарядные токи емкостей барьерных эмиттерного и коллекторного переходов, вызывая паразитные падения напряжения сигнала, что отрицательно сказывается на усилительных свойствах транзистора в области высоких частот во всех схемах его включения.