способ механического разделения кристаллов интегральных схем полупроводниковых, изготовленных одновременно на пластине. Перед разделением электрические параметры кристаллов проверяются с помощью специальных установок, использующих электронно-вычислительные машины. Перед скрайбированием пластина закрепляется на специальной пленке, которая обеспечивает сохранение взаимного расположения кристаллов после разделения до монтажа кристаллов в корпусе. Скрайбирование осуществляется алмазным резцом. Затем обеспечивается раскалывание пластины по нанесенным линиям. Ширина реза составляет от десяти до двадцати пяти микрометров, ширина нарушенного слоя велика — от ста пятидесяти до трехсот микрометров, что ограничивает использование скрайбирования.