пробой перехода электронно-дырочного, вызванный туннельным эффектом. Туннельный пробой возникает в р—n-переходах, образованных сильно легированными областями полупроводника. Он используется в низковольтных стабилитронах с напряжением стабилизации до шести вольт и в обращённых диодах, у которых туннельный пробой обусловливает большую крутизну обратной ветви вольт-амперной характеристики, начиная с нулевого обратного напряжения. Туннельный пробой также характерен для туннельных диодов.