разрушение элементов рабочей структуры транзистора, вызываемое превышением предельно допустимых режимов его эксплуатации. Пробой транзистора биполярного чаще всего связан с тепловым пробоем коллекторного р—n-перехода, который обычно находится под наибольшим напряжением и рассеивает наибольшую мощность, однако у транзисторов диффузионных с низкими значениями допустимого обратного напряжения на эмиттерном переходе причиной II. т. может быть и пробой эмиттерного перехода, особенно при работе в импульсных устройствах.