биполярный транзистор, предназначенный для измерения магнитной индукции. Действие магнитотранзистора основано на эффекте Гаусса, который вызывает искривление траекторий движения носителей заряда в области базы. Однако, поскольку база тонкая, коэффициент переноса под воздействием магнитного поля у обычного транзистора уменьшается незначительно. Значительный прирост магнитной чувствительности достигается за счёт разделения коллектора на два симметричных сектора относительно эмиттера и построения измерительного прибора по мостовой схеме. При отсутствии магнитного поля токи в цепях двух секторов коллектора равны, и через миллиамперметр, включённый в диагональ моста, ток не проходит. Под воздействием магнитного поля ток в цепи одного сектора увеличивается, а в цепи другого уменьшается, что приводит к регистрации миллиамперметром разности этих токов. Чувствительность магнитотранзистора превосходит чувствительность датчиков Холла и магниторезисторов на несколько порядков.