полупроводниковый резистор, в котором используется зависимость электрического сопротивления от напряженности магнитного поля. Под действием силы Лоренца траектории носителей заряда в магнитном поле искривляются, что равносильно уменьшению длины свободного пробега в направлении внешнего поля между токовыми контактами или увеличению удельного сопротивления магниторезистора.