полупроводниковый диод с толстой базой, предназначенный для измерения магнитной индукции. В основе действия магнитодиода лежит уменьшение подвижности носителей заряда в базе под воздействием магнитного поля, вызванное искривлением траекторий их движения. Это приводит к увеличению объемного сопротивления базы и, как следствие, к уменьшению падения напряжения на р—п-переходе, что способствует ещё большему уменьшению тока прямого через магнитодиод. Таким образом, чувствительность магнитодиода значительно выше, чем у магниторезистора.