лазер полупроводниковый, в котором для пространственного ограничения инжектируемых носителей используются гетероструктуры — слои полупроводников с различной шириной запрещенной зоны. Такие слои создают потенциальные барьеры по одну или обе (двойная гетероструктура) стороны активной области вблизи рабочего р—п-перехода. Концентрация носителей в активной области (области излучательной рекомбинации) снижает ток инжекции пороговый и увеличивает КПД (выход квантовый) лазера.