лазер полупроводниковый, в котором область взаимодействия оптического излучения с активной средой (ширина резонатора) меньше ширины полупроводникового кристалла. Электронно-дырочные пары генерируются током инжекции в пределах полной ширины кристалла, а рекомбинируют с вынужденным испусканием фотонов только в объёме, ограниченном шириной резонатора. Это снижает пороговый ток инжекции, увеличивает быстродействие, подавляет многие поперечные моды, облегчает ввод генерируемого излучения в круглые волоконные световоды. Разновидностью лазера полоскового является канальный лазер. Вытравленный в подложке узкий канал с поглощающими стенками позволяет подавить все поперечные моды, кроме основной. Лазер полосковый с двойной гетероструктурой является наиболее перспективным типом лазеров для волоконно-оптических систем передачи.