доля общего количества носителей неосновных, инжектированных эмиттером в базу транзистора биполярного, достигающая коллекторного перехода. Коэффициент переноса всегда несколько меньше единицы, так как часть неосновных носителей успевает рекомбинировать в базе. Для уменьшения этого эффекта, снижающего коэффициент передачи тока, базу делают предельно тонкой (единицы микрометров и меньше), что необходимо также для повышения предельной частоты коэффициента передачи тока.