дополнительный управляющий электрод, которым снабжаются некоторые типы полевых транзисторов. Второй затвор является выводом от кристаллодержателя полупроводниковой пластинки, в которой создана активная структура транзистора. Второй затвор образуется вспомогательным р—i—n-переходом, отделяющим тонкий канал полевого транзистора от основного объема полупроводниковой пластинки. Ввиду большой площади второго затвора его емкость велика, и он обладает худшими характеристиками, чем основной затвор, но его можно использовать как дополнительное средство управления, например, для изменения коэффициента усиления в системах автоматического регулирования усиления.