электрическая емкость перехода электронно-дырочного, обусловленная инжекцией неосновных носителей и их накоплением в прилегающем к переходу объеме полупроводника. Общий заряд неосновных носителей в соответствии с принципом нейтральности компенсируется равным ему зарядом обратного знака основных носителей, но он зависит от величины прямого тока через переход и от времени жизни неравновесных носителей и изменяется с некоторым запозданием относительно изменений тока, что и создает эффект, аналогичный электрической емкости. Емкость диффузионная прямо пропорциональна току через р—n-переход и потому существенна, в отличие от емкости барьерной, при пропускании через переход прямого тока. В большинстве случаев наличие емкости диффузионной неблагоприятно, но в некоторых полупроводниковых приборах она используется в качестве функционального явления.