движение электронов проводимости и дырок в полупроводнике под действием электрического поля. При дрейфе носителей заряда движение отдельного носителя вдоль поля не является ни равноускоренным, ни равномерным вследствие соударений с колеблющимися в узлах кристаллической решетки атомами, ионами примесей и другими дефектами и характеризуется средним значением составляющей скорости вдоль поля, которая пропорциональна напряженности поля и подвижности носителей заряда.