метод создания биполярного транзистора, изолированного от подложки р—n-переходом, использующий последовательное проведение трех диффузий локальных — в область коллектора, базы и эмиттера. Недостатки метода тройной диффузии — сложность технологии, неравномерность распределения концентрации примеси в коллекторе, возрастающая к границе базового слоя, что обусловливает большую емкость и низкое пробивное напряжение перехода коллекторного.