один из основных методов легирования полупроводников с целью создания неоднородного распределения примесей и электронно-дырочных переходов. Диффузию примесей производят из газовой среды, расплава или нанесенного на поверхность полупроводниковой пластины твердого вещества, содержащего необходимую примесь (диффузант), при достаточно высокой температуре (до 1000°С и выше), обеспечивающей нужную скорость проникновения атомов диффузанта на требуемую глубину.