процесс направленного переноса примесных атомов в ограниченные области полупроводников, происходящий под действием градиента концентрации. При создании элементов ИС диффузия для сокращения времени проводится в условиях повышенной температуры. При локальной диффузии (через вскрытое окно в слое оксида) примесь распространяется не только вертикально вниз, но и частично под маску, что приводит к увеличению размеров легированной области по сравнению с рисунком фотошаблона.