метод разделения n-слоя полупроводниковой пластины на отдельные островки — «карманы», в которых при последующих технологических операциях формируются элементы интегральной схемы (транзисторы, резисторы и др.). Диффузия встречная реализуется общей диффузией акцепторной примеси через нижнюю поверхность пластины и диффузией локальной через верхнюю поверхность.