теоретическое описание работы биполярного транзистора, основанное на представлении движения неосновных носителей в области базы как явления диффузии носителей заряда. Диффузионная модель транзистора хорошо описывает свойства транзисторов, у которых область базы легирована равномерно, например, сплавного транзистора. В основе диффузионной модели транзистора лежит применение к малому (дифференциальному) объему области базы принципа нейтральности и уравнения непрерывности, связывающего изменения концентрации неосновных носителей во времени с плотностью их потока.