изолирующий материал, используемый в полупроводниковых приборах. Обычно тонкий слой диоксида кремния (пленка) толщиной в десятые доли — единицы микрометров создается на поверхности пластинки кремния. Для этого применяют нагрев пластинки в окислительной среде (атмосфере кислорода или паров воды), осаждение диоксида кремния при пиролизе (разложении под действием высокой температуры) кремнийорганических соединений, анодное окисление в электролите и другие методы. Пленки диоксида кремния широко используются для защиты р—n-переходов, например, в планарном транзисторе от воздействия окружающей среды и стабилизации поверхности полупроводника. Диоксид кремния применяется также в качестве диэлектрика для изоляции затвора в полевом транзисторе с изолированным затвором и в технологии интегральных микросхем.