диод полупроводниковый, изготовленный с использованием технологии эпитаксиального наращивания. Эпитаксиальный слой может иметь проводимость типа, противоположного типу проводимости исходной полупроводниковой пластинки, тогда р—п-переход образуется на границе раздела пластинки и эпитаксиального слоя. В другом варианте эпитаксиальный слой имеет тот же тип проводимости, что у исходной пластинки, отличаясь только удельным сопротивлением, а р—п-переход создается в пределах эпитаксиального слоя методом диффузии примесей.