разновидность полупроводникового диода сверхвысокочастотного, предназначенного для работы в устройствах умножения частоты колебаний. При этом используется нелинейность вольт-амперной характеристики и некоторые инерционные свойства, проявляющиеся на высоких частотах (например, в диоде с накоплением заряда). Основной параметр диода умножительного — мощность определенной гармоники при заданной мощности подводимого колебания основной частоты. Чаще всего в роли диода умножительного выступают эпитаксиальные диоды.