особый вид полупроводникового диода, у которого на прямой ветви вольт-амперной характеристики имеется участок сопротивления отрицательного значения, обусловленный туннельным эффектом. Важнейшими параметрами диода туннельного являются пиковый ток, ток впадины и соответствующие им напряжения, которые характеризуют длину падающего участка вольт-амперной характеристики. Диод туннельный применяется для генерации и усиления колебаний, а также в спусковых импульсных устройствах. С учетом особенностей каждого из этих применений выпускаются соответствующие диоды туннельные: генераторные, усилительные и переключательные. Поскольку при туннельном эффекте ток в обеих областях р—n-перехода обусловлен движением основных носителей, инерционность процессов в диодах туннельных мала, что открывает возможности успешного применения диодов туннельных на сверхвысоких частотах. Поэтому конструкция корпуса и выводов диодов туннельных предусматривает сведение к минимуму паразитных емкостей и индуктивностей.