диод полупроводниковый, в котором накопление неосновных носителей в базе используется для формирования импульсов с очень крутым задним фронтом (десятые доли наносекунды). При изготовлении диода с накоплением заряда применяется неравномерное легирование базы, вызывающее появление в ней электрического поля, которое тормозит движение неосновных носителей к невыпрямляющему контакту (выводу базы). Поэтому при пропускании прямого тока через диод с накоплением заряда неосновные носители накапливаются только в тонком слое базы, непосредственно прилегающем к р—n-переходу. При переключении диода с накоплением заряда с прямого направления на обратное время восстановления обратного сопротивления получается небольшим, а задний фронт импульса — очень крутым. Диод с накоплением заряда применяется в импульсных усилителях, умножителях частоты и других устройствах.