разновидность полупроводникового диода, отличающегося наличием внутри р — п-перехода между областями р- и n-типов слоя с проводимостью собственной (i), толщина которого может достигать 0,5 мм. Наличие слоя i мало влияет на работу диода р — i — n при прямом напряжении. При обратном напряжении на диоде р — i — n слой i, резко увеличивающий расстояние между слоями объемных зарядов в р- и n-областях, понижает напряженность электрического поля, вследствие чего повышается напряжение пробоя р — n-перехода и уменьшается барьерная емкость, практически устраняя ее зависимость от величины обратного напряжения. Эти свойства диода р — i — n позволяют успешно применять его в широком диапазоне частот вплоть до СВЧ, в частности в роли диода переключательного антенной цепи радиолокационной станции.