полупроводниковый диод, предназначенный для работы в быстродействующих импульсных устройствах. От других типов полупроводниковых диодов отличается малой барьерной емкостью и малым временем восстановления обратного сопротивления. Многие типы диодов импульсных могут работать при больших (единицы ампер) импульсах прямого тока. Эти свойства обеспечиваются специальными конструктивно-технологическими решениями: миниатюризацией p-n перехода, использованием тонкого слоя полупроводника в качестве базы, снижением времени жизни неравновесных носителей в базе, применением неинжектирующего контакта металл — полупроводник и другими методами. Сверхвысокочастотные диоды импульсные, предназначенные для работы в цепях с импульсами длительностью менее 0,1 микросекунды, называют наносекундными диодами. Особая разновидность диодов импульсных — диод с накоплением заряда.