изменение электрического сопротивления твердого тела под действием внешнего магнитного поля. Особенно ярко проявляется Гаусса эффект в полупроводниках. Причина Гаусса эффекта заключается в том, что магнитное поле искривляет траектории носителей заряда, так что за время свободного пробега они проходят вдоль электрического поля путь, меньший длины свободного пробега в отсутствие магнитного поля. Это ведет к уменьшению эффективной подвижности носителей заряда, из-за чего электрическое сопротивление возрастает. Гаусса эффект в полупроводниках используется для создания датчиков (измерителей) магнитного поля. Иначе Гаусса эффект называют магниторезистивным эффектом (поперечным).