полупроводниковый прибор, основанный на эффекте Ганна и предназначенный для генерации или усиления колебаний сверхвысокой частоты. В непрерывном режиме мощность генерируемых ганна диодом колебаний составляет сотни милливатт, а в импульсном режиме — может достигать единиц киловатт. Рабочие частоты ганна диода лежат в диапазоне от одного гигагерца до сотен гигагерц. Конструктивно ганна диод представляет собой миниатюрный брусочек (до 0,1 миллиметра длины) или чаще — эпитаксиальную пленку однородного полупроводникового материала без р—n-перехода, обычно арсенида галлия, с двумя невыпрямляющими контактами. Как элемент электрической цепи ганна диод является двухполюсником, проявляющим динамическое сопротивление отрицательное в ограниченной полосе частот.