время, в течение которого после прекращения инжекции неосновных носителей в базу полупроводникового прибора восстанавливается их равновесная концентрация. У полупроводникового диода время рассасывания совпадает с временем восстановления обратного сопротивления. У биполярного транзистора время рассасывания применяют к процессу его переключения из открытого состояния в запертое, при этом время рассасывания создает задержку начала спада тока коллектора относительно заднего фронта импульса, переключающего транзистор. Время рассасывания особенно велико, если в открытом состоянии транзистора его рабочая точка находилась в области насыщения, так как при этом рассасывание неосновных носителей происходит только за счет их рекомбинации в базе и малого тока базы обратного направления. Лишь по истечении времени рассасывания рабочая точка выходит из области насыщения в активную область и начинается спад коллекторного тока.