диод полупроводниковый, предназначенный для использования в качестве конденсатора, емкость которого зависит от приложенного напряжения. В роли емкости варикапа выступает барьерная емкость р—n-перехода при обратном напряжении, когда шунтирующее ее сопротивление обратное диода велико. Основными параметрами варикапа являются номинальная емкость при обусловленном обратном напряжении, коэффициент перекрытия емкости Кс = Смакс / Смин при изменении напряжения в оговорённых пределах и добротность варикапа. У варикапов с р—n-переходом, изготовленным обычными методами, значение коэффициента перекрытия емкости невелико (3...4). Большие коэффициенты перекрытия емкости (до 10 и более) получают, создавая сверхрезкий переход.