более высокоомная из прилегающих к переходу электронно-дырочному или контакту металл—полупроводник областей, в которую происходит инжекция неосновных носителей при прохождении через переход тока прямого направления. У диода база называется толстой, если ее толщина превышает диффузионную длину неосновных носителей, и тонкой — если ее толщина меньше диффузионной длины. В биполярном транзисторе база обязательно тонкая. От толщины и электрофизических свойств базы зависят специфические явления, существенно влияющие на характеристики полупроводникового прибора (см. сопротивление базы, время восстановления сопротивления обратного, время рассасывания, частота предельная коэффициента передачи тока).